收藏本站
MRF8P18265HR6 MRF8P18265HSR6
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor, Inc.
VDD
=30Vdc,IDQA
= 800 mA
f
MHz
Max Pout
(1)
Zsource
?
Zload
?
Watts
dBm
1805
195
52.9
2.38 -- j6.43
1.31 -- j2.51
1840
195
52.9
3.70 -- j7.13
1.21 -- j2.50
1880
190
52.8
4.23 -- j7.74
1.24 -- j2.51
(1) Maximum output power measurement reflects pulsed 1 dB gain compression.
Zsource
= Test circuit impedance as measured from gate contact to ground.
Zload
= Test circuit impedance as measured from drain contact to ground.
Figure 10. Carrier Side Load Pull Performance ? Maximum P1dB Tuning
Zsource
Zload
Input
Load Pull
Tuner
Device
Under
Test
Output
Load Pull
Tuner
VDD
=30Vdc,IDQA
= 800 mA
f
MHz
Max Eff.
(1)
%
Zsource
?
Zload
?
1805
69.3
2.38 -- j6.43
3.10 -- j1.22
1840
68.9
3.70 -- j7.13
2.59 -- j1.37
1880
68.3
4.23 -- j7.74
2.47 -- j1.17
(1) Maximum output power measurement reflects pulsed 1 dB gain compression.
Zsource
= Test circuit impedance as measured from gate contact to ground.
Zload
= Test circuit impedance as measured from drain contact to ground.
Figure 11. Carrier Side Load Pull Performance ? Maximum Efficiency Tuning
Zsource
Zload
Device
Under
Test
Output
Load Pull
Tuner
Input
Load Pull
Tuner
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
MRF8P20100HSR3 FET RF N-CH 2025MHZ 28V NI780H-4
MRF8P20140WHSR3 FET RF LDMOS 28V 500MA NI780S-4
MRF8P20161HSR3 IC MOSFET RF N-CHAN NI-780S
MRF8P20165WHSR3 FET RF LDMOS 28V 550MA NI780S4
MRF8P23080HSR3 FET RF N-CH 2.3GHZ 28V NI780S-4
MRF8P9040GNR1 IC MOSFET RF N-CHAN TO-270
MRF8P9300HSR6 FET RF N-CH 960MHZ 70V NI-1230HS
MRF8S18120HR5 MOSFET RF N-CH 120W NI-780
相关代理商/技术参数
MRF8P20100HR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 100W NI780H-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8P20100HR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 100W NI780H-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8P20100HSR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 100W NI780HS-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8P20100HSR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 100W NI780HS-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8P20140WHR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 24W NI780-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8P20140WHR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 24W NI780-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8P20140WHSR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 24W NI780S-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8P20140WHSR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 24W NI780S-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray